NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571 Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control Applications
Features: D High Current Rating D Excellent Dynamic Characteristics D Superior Surge Capabilities D Standard Package Voltage Ratings and Electrical Characteristics: (TJ = +125C unless otherwise specified) Maximum Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage (Note 1), VDRM, VRRM NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Maximum Non-Repetitive Peak Voltage (Note 2), VRSM NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V Maximum Peak Reverse and Off-State Current, IDRM, IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA Maximum Average On-State Current (180 Sinusoidal Conduction), IT(RMS) NTE5567, NTE5568, NTE5569 (TC = +94C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A NTE5571 (TC = +90C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A Maximum RMS On-State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A Maximum Peak One-Cycle Non-Repetitive Surge Current (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), ITSM (No Voltage Reapplied) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1430A NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A (100% VRRM Reapplied) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1010A Maximum I2t for Fusing (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I2t (No Voltage Reapplied) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.18KA2s NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.21KA2s (100% VRRM Reapplied) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.20KA2s NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.10KA2s
Voltage Ratings and Electrical Characteristics (Cont'd): (TJ = +125C unless otherwise specified) Maximum I2t for Fusing (t = 0.1 to 10ms, No Voltage Reapplied), I2t NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101.8KA2s NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.1KA2s Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x x IT(AV) < I < x IT(AV)), VT(TO)1 NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.94V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.02V High Level Value of Threshold Voltage ( x IT(AV) < I < 20 x x IT(AV)), VT(TO)2 NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.08V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17V Low Level Value of On-State Slope Resistance (16.7% x x IT(AV) < I < x IT(AV)), rt1 NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.08m NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.78m High Level Value of On-State Slope Resistance ( x IT(AV) < I < 20 x x IT(AV)), VT(TO)2 NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.34m NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.97m Maximum On-State Voltage (Ipk = 157A, TJ = +25C), VTM NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.60V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.78V Maximum Holding Current (TJ = +25C, Anode Supply 22V, Resistive Load, Initial IT = 2A), IH . 200mA Latching Current (Anode Supply 6V, Resistive Load), IL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA Maximum Rate of Rise of Turned-On Current, di/dt (VDM = Rated VDRM, Gate Pulse = 20V, 15, tp = 6s, tr = 0.1s ax., ITM = (2x Rated di/dt) A) NTE5567, NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/s NTE5569, NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/s Typical Delay Time, td . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9s (TC = +25C, VDM = Rated VDRM, DC Resistive Circuit, Gate Pulse = 10V, 15 Source, tp = 20s) Typical Turn-Off Time, tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110s (TC = +125C, ITM = 50A, Reapplied dv/dt = 20Vs, dir/dt = -10A/s, VR = 50V) Maximum Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, dv/dt (Linear to 100% rated VDRM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/s (Linear to 67% rated VDRM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/s Maximum Peak Gate Power (tp 5ms), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W Maximum Average Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W Maximum Peak Positive Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A Maximum Peak Positive Gate Voltage, +VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Maximum Peak Negative Gate Voltage, -VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V DC Gate Current Required to Trigger (6V Anode-to-Cathode Applied), IGT . . . . . . . . . . . . . . 50mA DC Gate Voltage Required to Trigger (6V Anode-to-Cathode Applied, TJ = +25C), VGT . . . 2.5V DC Gate Current Not to Trigger (Rated VDRM Anode-to-Cathode Applied), IGD . . . . . . . . . . 5.0mA DC Gate Voltage Not to Trigger (Rated VDRM Anode-to-Cathode Applied), VGD . . . . . . . . . . 0.2V Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +125C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +125C Thermal Resistance Junction-to-Case (DC Operation), RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.35K/W Case-to-Heatsink (Mounting Surface Smooth, Flat, and Greased), RthCS . . . . . . . 0.25K/W Mounting Torque (Non-Lubricated Threads), T . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 - 30 (2.8 - 3.4) lbf-in (Nm) Note 1. Units may be broken over non-repetitively in the off-state direction without damage, if di/dt does not exceed 20A/s. Note 2. For voltage pulses with tp 5ms.
Gate .250 (6.35) Cathode .120 (3.04) .136 (3.47) Dia .067 (1.72) Dia
.565 (14.37) Max .200 (5.08) Max
.667 (16.95) Dia Max
.875 (22.22) Max
1.218 (30.94) Max
.450 (11.43) Max
Anode 1/4-28 UNF-2A .675 (17.15) Across Flats
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